د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کیپیسیټر ډیزاین

د IGBT بریښنا الکترونیک غوښتنلیکونو لپاره د لوړ چوټي اوسني سنبر فلم کیپسیټر ډیزاین شوی انځور شوی انځور

لنډ معلومات:

د IGBT snubber SMJ-P

1. پلاستيکي قضیه، د رال سره مهر شوی؛

2. د ټین پلیټ شوي مسو داخلول لیډونه، د IGBT لپاره اسانه نصب کول؛

3. د لوړ ولتاژ مقاومت، ټیټ tgδ، د تودوخې ټیټ لوړوالی؛

4. ټیټ ESL او ESR؛

5. لوړ نبض جریان.

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

تخنیکي معلومات

د عملیاتي حرارت درجه	اعظمي. د عملیاتي تودوخې.، پورته، اعظمي: +105 ℃ د پورتنۍ کټګورۍ د حرارت درجه: +85 ℃ د ټیټ درجه حرارت درجه: -40 ℃
د ظرفیت حد	0.1μF～5.6μF
درجه بندي ولتاژ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
د ولتاژ په وړاندې مقاومت	1.5Un DC/10S
د تخریب عامل	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S) Cد0.33μF RS*C≥5000S(په 20℃ 100V.DC 60S)
د اوسني اعتصاب سره مقاومت وکړئ	ډیټاشیټ وګورئ
د شعاع مخنیوی	UL94V-0
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
د حوالې معیار	IEC61071;GB/T17702;

د مشخصاتو جدول

ولټيج	یون 700V.DC،Urms400Vac؛Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	۴۸۰	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	۸۴۰	15
2.5	42.5	33	45	6	23	۴۰۰	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	57.5	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
3.5	42.5	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
3.5	57.5	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
4.7	57.5	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶ ل	25
5.6	57.5	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	57.5	38	54	3.5	33	۲۳۰	۱۳۸۰ ل	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولټيج	یون 1000V.DC،Urms500Vac؛Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	۴۷۰	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	42.5	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
2.5	57.5	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	57.5	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	57.5	38	54	3.2	26	۵۰۰	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	۱۹۷۴ ز	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولټيج	Un 1200V.DC،Urms550Vac؛Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
1.5	42.5	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	57.5	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
2.5	57.5	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	57.5	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	۱۹۷۴ ز	32
ولټيج	یون 1700V.DC،Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	42.5	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
1.5	57.5	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	57.5	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
2.5	57.5	35	50	4	28	۱۱۰۰	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولټيج	یون 2000V.DC،Urms700Vac؛Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
0.68	42.5	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
0.68	57.5	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
0.82	42.5	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	57.5	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	۱۵۰۰	28
2	57.5	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولټيج	یون 3000V.DC،Urms750Vac؛Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.15	42.5	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
0.22	42.5	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	۳۳۰	20
0.33	57.5	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
0.47	57.5	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28