محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE

لنډ معلومات:

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

اړونده ویډیو

نظر (2)

زموږ ښه سمبال شوي تاسیسات او د تولید په ټولو مرحلو کې استثنایی ښه کیفیت اداره موږ ته دا توان راکوي چې د پیرودونکو بشپړ رضایت تضمین کړود بریښنا الکترونیکي کپاسیټر حل , د ایو کپاسیټر , په موټرو کې د کپاسیټرونو کارول، موږ ستاسو د پوښتنو ژر ترلاسه کولو ته سترګې په لار یو او هیله لرو چې په راتلونکي کې ستاسو سره د یوځای کار کولو فرصت ولرو. زموږ د سازمان لیدو ته ښه راغلاست.

د ۱۸ کلونو فابریکې DC پاور کپاسیټر - محوري GTO سنوبر کپاسیټرونه - CRE تفصیل:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي تودوخې حد	اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: + 85℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40℃
د ظرفیت حد	۰.۱μF~۵.۶μF
ټاکل شوی ولتاژ	۶۳۰ وولټ. ډي سي ~ ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي
کیپټول	±۵٪(J) ;±۱۰٪(K)
د ولتاژ سره مقاومت وکړئ	۱.۵ ان ډي سي/۱۰ ایس
د ضایع کیدو فکتور	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S کې) C＞0.33μF RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC 60S کې)
د ضربې جریان سره مقاومت وکړئ
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
د حوالې معیار	د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۰۷۱؛ د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۸۸۱؛ جي بي/ټي ۱۷۷۰۲

غوښتنلیک

۱. د IGBT سنوبر.

2. په پراخه کچه د بریښنایی تجهیزاتو کې کارول کیږي کله چې د لوړ ولتاژ، د لوړ جریان جذب محافظت وي.

د خاکې رسمول

د SMJ-TE محوري کپاسیټر
ولټيج		Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V

ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۲۲	32	۹.۵	۱۷.۵	۰.۸	16	23	۳۰۰	66	۵.۳
۰.۳۳	32	12	20	۱	13	22	۲۰۰	66	۶.۵
۰.۴۷	32	۱۴.۵	۲۲.۵	۱	11	21	۲۲۰	۱۰۳.۴	۸.۳
۰.۶۸	32	18	26	۱	10	20	۱۸۰	۱۲۲.۴	۹.۵
۱	37	11	19	۱	8	28	۱۵۰	۱۵۰	۷.۶
۱.۵	37	۱۳.۵	۲۱.۵	۱	7	27	۱۵۰	۲۲۵	۹.۵
2	37	16	24	۱.۲	6	24	۱۳۰	۲۶۰	۱۰.۲
۲.۵	37	18	26	۱.۲	۵.۵	25	۱۲۰	۳۰۰	۱۰.۵
3	37	20	28	۱.۲	5	30	۱۱۰	۳۳۰	۱۰.۸
۳.۳	37	21	29	۱.۲	۴.۵	30	۱۱۰	۳۶۳	۱۱.۲
4	57	27	۳۶.۵	۱.۲	۴.۲	32	۲۲۰	۸۸۰	۱۲.۸
۴.۷	57	28	۴۰.۵	۱.۲	۳.۸	32	۲۰۰	۹۴۰	۱۳.۸
۵.۶	57	31	۳۳.۵	۱.۲	۳.۵	32	۱۸۵	۱۰۳۶	۱۳.۵
۶.۸	37	29	۴۱.۵	۱.۲	۲.۵	28	۱۰۰	۶۸۰	۱۳.۸
۶.۸	57	34	۴۶.۵	۱.۲	۲.۸	30	۱۸۰	۱۲۲۴	۱۴.۲

ولټيج			یو ۱۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۵۰۰ وولټ
ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱۵	32	10	۱۷.۵	۰.۸	20	20	۱۱۰۰	۱۶۵	۵.۵
۰.۲۲	32	12	20	۱	15	21	۱۰۰۰	۲۲۰	۷.۳
۰.۳۳	32	۱۵.۵	23	۱	13	21	۱۰۰۰	۳۳۰	۸.۷
۰.۴۷	32	۱۸.۵	26	۱.۲	10	23	۱۰۰۰	۴۷۰	۱۰.۵
۰.۴۷	44	14	22	۱.۲	9	24	۹۰۰	۴۲۳	۹.۵
۰.۶۸	32	20	۳۲.۵	۱.۲	7	25	۹۰۰	۶۱۲	۱۰.۸
۰.۶۸	44	17	25	۱.۲	6	26	۸۰۰	۵۴۴	۱۰.۲
۱	44	۲۱.۵	۲۹.۵	۱.۲	۵.۶	27	۹۰۰	۹۰۰	11
۱.۵	44	26	۳۵.۵	۱.۲	5	29	۹۰۰	۱۳۵۰	12
۱.۵	57	21	29	۱.۲	5	30	۷۰۰	۱۰۵۰	۱۲.۲
2	44	28	۴۰.۵	۱.۲	۴.۸	30	۸۰۰	۱۶۰۰	۱۳.۲
2	57	24	۳۳.۵	۱.۲	۴.۸	32	۶۰۰	۱۲۰۰	۱۲.۸
۲.۲	44	30	۴۲.۵	۱.۲	۴.۲	32	۶۰۰	۱۳۲۰	۱۳.۸
۲.۲	57	25	۳۴.۵	۱.۲	۴.۲	32	۵۰۰	۱۱۰۰	۱۳.۵
۲.۵	57	25	38	۱.۲	4	33	۵۰۰	۱۲۵۰	۱۴.۲
3	57	28	۴۰.۵	۱.۲	۳.۵	34	۴۸۰	۱۴۴۰	۱۵.۶
۳.۳	57	۲۹.۵	42	۱.۲	۳.۲	35	۴۵۰	۱۴۸۵	۱۶.۵
۳.۵	57	۳۰.۵	43	۱.۲	۳.۲	35	۴۵۰	۱۵۷۵	۱۷.۲
۴.۷	57	35	۵۰.۵	۱.۲	3	36	۴۲۰	۱۹۷۴	۱۷.۸
۵.۶	57	۳۸.۵	65	۱.۲	۲.۸	38	۴۰۰	۲۲۴۰	۱۸.۲

ولټيج			یو ۱۲۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۵۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۸۰۰ وولټ
ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱	32	۸.۵	16	۰.۸	20	20	۱۳۰۰	۱۳۰	6
۰.۱۵	32	10	۱۷.۵	۱	18	20	۱۲۰۰	۱۸۰	۷.۵
۰.۲۲	32	13	21	۱	15	22	۱۲۰۰	۲۶۴	۸.۳
۰.۳۳	32	16	24	۱	12	23	۱۲۰۰	۳۹۶	9
۰.۴۷	32	۱۷.۵	30	۱.۲	10	23	۱۲۰۰	۵۶۴	۹.۵
۰.۴۷	44	15	23	۱.۲	9	26	۱۱۰۰	۵۱۷	۹.۸
۰.۶۸	32	۲۱.۵	34	۱.۲	8	25	۱۱۰۰	۵۱۷	10
۰.۶۸	44	۱۸.۵	۲۶.۵	۱.۲	6	27	۱۰۰۰	۶۸۰	۱۱.۷
۱	44	23	31	۱.۲	5	28	۱۰۰۰	۱۰۰۰	۱۲.۴
۱.۵	44	۲۶.۵	39	۱.۲	5	30	۹۵۰	۱۴۲۵	۱۳.۵
۱.۵	57	۲۲.۵	۳۰.۵	۱.۲	5	29	۹۰۰	۱۳۵۰	۱۲.۶
2	44	29	45	۱.۲	5	30	۸۰۰	۱۶۰۰	۱۴.۲
2	57	۲۶.۵	۳۴.۵	۱.۲	۴.۸	30	۷۵۰	۱۵۰۰	۱۳.۸
۲.۲	44	31	47	۱.۲	۴.۲	32	۸۰۰	۱۷۶۰	۱۴.۵
۲.۲	57	۲۷.۵	۳۵.۵	۱.۲	۴.۲	35	۷۰۰	۱۵۴۰	۱۴.۵
3	57	29	۴۴.۵	۱.۲	۳.۲	37	۵۰۰	۱۵۰۰	۱۷.۲
۳.۳	57	۳۰.۵	46	۱.۲	۳.۲	38	۴۵۰	۱۴۸۵	۱۷.۸
۴.۷	57	38	۵۳.۵	۱.۲	3	38	۴۲۰	۱۹۷۴	۱۸.۲

ولټيج			یو ۱۷۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ایس ۶۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۲۵۵۰ وولټ
ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱	32	۹.۵	۱۷.۵	۰.۸	18	25	۱۳۰۰	۱۳۰	۷.۵
۰.۱۵	32	12	20	۱	16	24	۱۲۰۰	۱۸۰	۸.۵
۰.۲۲	32	15	23	۱	15	24	۱۲۰۰	۲۶۴	۹.۳
۰.۳۳	32	۱۸.۵	۲۶.۵	۱	12	22	۱۲۰۰	۳۹۶	۹.۹
۰.۳۳	44	۱۳.۵	۲۱.۵	۱.۲	12	29	۱۱۰۰	۳۶۳	۱۰.۲
۰.۴۷	44	16	24	۱.۲	9	28	۱۰۰۰	۴۷۰	۱۱.۲
۰.۶۸	44	20	28	۱.۲	8	27	۱۰۰۰	۶۸۰	۱۱.۷
۱	44	24	۳۳.۵	۱.۲	۵.۶	26	۹۰۰	۹۰۰	۱۲.۴
۱	57	۱۹.۵	۲۷.۵	۱.۲	6	33	۸۵۰	۸۵۰	۱۰.۸
۱.۵	44	28	۴۰.۵	۱.۲	۴.۸	25	۸۰۰	۱۲۰۰	۱۳.۵
۱.۵	57	24	32	۱.۲	5	33	۷۵۰	۱۱۲۵	۱۳.۵
2	44	۳۱.۵	47	۱.۲	۴.۵	24	۷۵۰	۱۵۰۰	۱۴.۲
2	57	۲۷.۵	37	۱.۲	۴.۸	32	۶۵۰	۱۳۰۰	۱۲.۸
۲.۲	44	۳۳.۵	49	۱.۲	۴.۵	34	۷۰۰	۱۵۴۰	۱۵.۶
۲.۲	57	29	40	۱.۲	۴.۲	32	۶۰۰	۱۳۲۰	۱۴.۵
3	57	31	۴۶.۵	۱.۲	4	30	۵۶۰	۱۶۸۰	۱۷.۲
۳.۳	57	33	۴۸.۵	۱.۲	۳.۲	29	۵۰۰	۱۶۵۰	۱۷.۶
4	57	37	۵۲.۵	۱.۲	3	28	۴۵۰	۱۸۰۰	۱۸.۲

ولټيج			یو ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۷۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۳۰۰۰ وولټ
ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۶۸	32	9	17	۰.۸	25	23	۱۵۰۰	۱۰۲	۶.۹
۰.۱	32	۱۱.۵	۱۹.۵	۱	18	22	۱۵۰۰	۱۵۰	۸.۲
۰.۱	37	۱۰.۵	۱۸.۵	۱	18	26	۱۴۵۰	۱۴۵	8
۰.۲۲	32	۱۷.۵	۲۵.۵	۱.۲	15	21	۱۴۰۰	۳۰۸	۹.۱
۰.۲۲	37	16	24	۱.۲	15	25	۱۳۰۰	۲۸۶	9
۰.۳۳	37	20	28	۱.۲	12	24	۱۲۵۰	۴۱۲.۵	۹.۵
۰.۳۳	44	18	26	۱.۲	12	30	۱۲۰۰	۳۹۶	۱۰.۲
۰.۴۷	44	۱۹.۵	32	۱.۲	10	29	۱۱۰۰	۵۱۷	۱۲.۴
۰.۶۸	44	24	۳۶.۵	۱.۲	8	28	۱۰۰۰	۶۸۰	۱۴.۲
۰.۶۸	57	۱۸.۵	31	۱.۲	8	27	۹۰۰	۶۱۲	۱۴.۲
۱	57	۲۳.۵	36	۱.۲	6	31	۹۵۰	۹۵۰	۱۴.۵
۱.۵	57	۲۹.۵	42	۱.۲	5	31	۸۵۰	۱۲۷۵	۱۴.۵
2	57	33	۴۸.۵	۱.۲	۴.۲	31	۷۵۰	۱۵۰۰	۱۶.۵
۲.۲	57	35	۵۰.۵	۱.۲	4	30	۷۰۰	۱۵۴۰	۱۷.۸

ولټيج			یو 3000V.DC؛ یو 750Vac؛ یو 4500V
ظرفیت (uF)	ل (ملي متره±۱)	ټ (ملي متره±۱)	ح (ملي متره±۱)	φd (ملي متر)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۴۷	44	۱۳.۵	۲۱.۵	۱	22	20	۲۰۰۰	94	۸.۵
۰.۰۶۸	44	17	25	۱	20	20	۱۸۰۰	۱۲۲.۴	۱۰.۵
۰.۱	44	۲۰.۵	۲۸.۵	۱.۲	18	20	۱۵۰۰	۱۵۰	۱۲.۴
۰.۱۵	44	26	34	۱.۲	16	22	۱۳۵۰	۲۰۲.۵	۱۳.۸
۰.۲۲	44	29	۴۱.۵	۱.۲	۱۴.۵	22	۱۲۰۰	۲۶۴	۱۴.۵

د محصول تفصیل انځورونه:

د اړوندو محصولاتو لارښود:

د پیرودونکو لپاره اضافي ارزښت رامینځته کول زموږ د سوداګرۍ فلسفه ده؛ د پیرودونکي وده زموږ د 18 کلونو فابریکې DC پاور کیپسیټر لپاره کار کول دي - محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE، دا محصول به په ټوله نړۍ کې عرضه شي، لکه: واشنګټن، پاناما، نیویارک، زموږ محصولاتو په هر اړونده هیوادونو کې عالي شهرت ترلاسه کړی. ځکه چې زموږ د شرکت تاسیس شوی. موږ د خپل تولید پروسې نوښت او وروستي عصري مدیریت میتود باندې ټینګار کړی، چې پدې صنعت کې د پام وړ شمیر وړتیاوې راجلبوي. موږ د حل کیفیت زموږ د خورا مهم جوهر ځانګړتیا ګڼو.

د ټون شوي غیر فعال فلټر کولو لپاره د Ac کپاسیټر

د کمپیکټ ډیزاین فلم کپاسیټر