د نړیوال کیپسیټر عرضه کونکي لپاره ځانګړی قیمت - د IGBT غوښتنلیک لپاره د پولی پروپیلین فلم سنوبر کیپیسیټر ټیټ ضایع شوی ډایلیکټر - CRE

لنډ معلومات:

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

اړونده ویډیو

نظر (2)

ښه چلول شوي تجهیزات، د عاید متخصص ټیم، او د پلور وروسته غوره خدمتونه؛موږ یو متحد لوی کورنۍ هم یو، هرڅوک چې د سازمان سره پاتې کیږي د "یووالي، عزم، زغم" ارزښت لري.د لوړ کیفیت Dc لینک کیپیسیټر , فلزي شوي پی پی فلم کپاسیټر , د AC فلټر د ریل ټراکشن بریښنا سیسټم لپاره کارول کیږي، د عالي خدمت او کیفیت سره ، او د بهرني سوداګرۍ تصدۍ چې د اعتبار او سیالۍ وړتیا لري ، چې د خپلو پیرودونکو لخوا به باور او ښه راغلاست وي او خپلو کارمندانو ته خوښي رامینځته کړي.

د نړیوال کیپسیټر عرضه کونکي لپاره ځانګړی قیمت - د IGBT غوښتنلیک لپاره د پولی پروپیلین فلم سنوبر کیپیسیټر ټیټ ضایع شوی ډایلیکټر - CRE توضیحات:

د SMJ-P لړۍ

د ولتاژ حد درجه: له 1000 VDC څخه تر 2000 VDC پورې
د ظرفیت حد: 0.1 uf څخه تر 3.0 uf پورې
د نصبولو پچ: 22.5 mm تر 48 mm پورې
ساختماني: فلز شوي پولی پروپیلین ډایالټریک داخلي لړۍ ارتباط
غوښتنلیک: د IGBT محافظت، د ریزونانس ټانک سرکټونه

د ځان شفاهي ، وچ ډوله ، سنوببر کیپسیټر عناصر په ځانګړي ډول پروفایل شوي ، د څپې کټ فلیټ شوي PP فلم په کارولو سره تولید شوي کوم چې د ټیټ ځان انډکشن ، لوړ تخریب مقاومت او لوړ اعتبار تضمینوي.د ډیر فشار سره نښلول اړین نه ګڼل کیږي.د کیپسیټر ټاپ د ځان وژونکي چاپیریال دوستانه ایپوکسي سره مهر شوی.ځانګړی ډیزاین خورا ټیټ ځان هڅونه تضمینوي.

IMG_0397.HEIC

د مشخصاتو جدول

ولټيج	یون 700V.DC،Urms400Vac؛Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	۴۸۰	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	۸۴۰	15
2.5	42.5	33	45	6	23	۴۰۰	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	57.5	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
3.5	42.5	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
3.5	57.5	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
4.7	57.5	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶ ل	25
5.6	57.5	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	57.5	38	54	3.5	33	۲۳۰	۱۳۸۰ ل	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33

ولټيج	یون 1000V.DC،Urms500Vac؛Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	۴۷۰	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	42.5	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
2.5	57.5	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	57.5	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	57.5	38	54	3.2	26	۵۰۰	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	۱۹۷۴	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32

ولټيج	Un 1200V.DC،Urms550Vac؛Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
1.5	42.5	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	57.5	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
2.5	57.5	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	57.5	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	۱۹۷۴	32

ولټيج	یون 1700V.DC،Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	42.5	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
1.5	57.5	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	57.5	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
2.5	57.5	35	50	4	28	۱۱۰۰	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32

ولټيج	یون 2000V.DC،Urms700Vac؛Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
0.68	42.5	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
0.68	57.5	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
0.82	42.5	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	57.5	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	۱۵۰۰	28
2	57.5	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32

ولټيج	یون 3000V.DC،Urms750Vac؛Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.15	42.5	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
0.22	42.5	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	۳۳۰	20
0.33	57.5	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
0.47	57.5	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

د محصول تفصیل انځورونه:

اړونده محصول لارښود:

د باور وړ کیفیت او ښه کریډیټ موقف زموږ اصول دي، کوم چې به موږ سره په لوړ رتبه موقف کې مرسته وکړي.د نړیوال کیپسیټر عرضه کونکي لپاره د ځانګړي نرخ لپاره د "کیفیت لومړی ، د پیرودونکي عالي" اصول ته غاړه ایښودل - د IGBT غوښتنلیک لپاره د پولی پروپیلین فلم سنبر کپیسیټر د ټیټ ضایع ډایلیکټر - CRE ، محصول به ټولې نړۍ ته عرضه کړي ، لکه: وینزویلا ، اندونیزیا ، پاراګوای، موږ ویاړو چې خپل محصولات په ټوله نړۍ کې هر آټو فین ته زموږ د انعطاف وړ ، ګړندي موثر خدماتو او د کیفیت کنټرول خورا سخت معیار سره وړاندې کوو کوم چې تل د پیرودونکو لخوا تصویب او ستاینه کیږي.

د طبي وسایلو لپاره د Dc Capacitor

د ډی سی بریښنا کیپیسیټر

د Ess Capacitor

د لوړ فریکونسۍ AC فلټر کیپسیټر

د لوړ فعالیت فلم capacitor

د لوړ نبض اوسنی Igbt Snubber

لوړ Ripple اوسني فلم capacitor

د Mkp کنډینسر

درې پړاو فلم capacitors

د ویلډینګ انورټر Dc لینک کیپسیټر

شرکت کولی شي فکر وکړي چې زموږ څه فکر کوي، زموږ د موقف په ګټو کې د عمل کولو لپاره د بیړنۍ اړتیا، ویل کیدی شي چې دا یو مسؤل شرکت دی، موږ خوشحاله همکاري درلوده!