• بي بي بي

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE

لنډ معلومات:


د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

اړونده ویډیو

نظر (2)

زموږ توکي د کاروونکو لخوا په پراخه کچه پیژندل شوي او د باور وړ دي او کولی شي په دوامداره توګه د بدلیدونکي مالي او ټولنیزو غوښتنو سره سم ويد لوړ ځواک اتوماتیک غوښتنلیک لپاره د فلم کیپسیټر , د اوبو سړه شوی کپاسیټر , د ښه قیمت فلم کپاسیټر، موږ په صادقانه توګه هرکلی کوو چې تاسو موږ ته راشئ. هیله ده چې اوس موږ په راتلونکي کې په زړه پورې همکاري ولرو.
د PCB کپیسیټر لپاره د نوي کیدونکي ډیزاین - محوري GTO سنوبر کپیسیټرونه - CRE تفصیل:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي تودوخې حد اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: + 85℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40℃
د ظرفیت حد ۰.۱μF~۵.۶μF
ټاکل شوی ولتاژ

۶۳۰ وولټ. ډي سي ~ ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي

کیپټول

±۵٪(J) ;±۱۰٪(K)

د ولتاژ سره مقاومت وکړئ

۱.۵ ان ډي سي/۱۰ ایس

د ضایع کیدو فکتور

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

د موصلیت مقاومت

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S کې)

C>0.33μF RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC 60S کې)

د ضربې جریان سره مقاومت وکړئ
د ژوند تمه

100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)

د حوالې معیار

د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۰۷۱؛ د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۸۸۱؛ جي بي/ټي ۱۷۷۰۲

غوښتنلیک

۱. د IGBT سنوبر.

2. په پراخه کچه د بریښنایی تجهیزاتو کې کارول کیږي کله چې د لوړ ولتاژ، د لوړ جریان جذب محافظت وي.

د خاکې رسمول

 

۱

 

 

 

 

د SMJ-TE محوري کپاسیټر
ولټيج Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۲۲ 32 ۹.۵ ۱۷.۵ ۰.۸ 16 23 ۳۰۰ 66 ۵.۳
۰.۳۳ 32 12 20 ۱ 13 22 ۲۰۰ 66 ۶.۵
۰.۴۷ 32 ۱۴.۵ ۲۲.۵ ۱ 11 21 ۲۲۰ ۱۰۳.۴ ۸.۳
۰.۶۸ 32 18 26 ۱ 10 20 ۱۸۰ ۱۲۲.۴ ۹.۵
۱ 37 11 19 ۱ 8 28 ۱۵۰ ۱۵۰ ۷.۶
۱.۵ 37 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱ 7 27 ۱۵۰ ۲۲۵ ۹.۵
2 37 16 24 ۱.۲ 6 24 ۱۳۰ ۲۶۰ ۱۰.۲
۲.۵ 37 18 26 ۱.۲ ۵.۵ 25 ۱۲۰ ۳۰۰ ۱۰.۵
3 37 20 28 ۱.۲ 5 30 ۱۱۰ ۳۳۰ ۱۰.۸
۳.۳ 37 21 29 ۱.۲ ۴.۵ 30 ۱۱۰ ۳۶۳ ۱۱.۲
4 57 27 ۳۶.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۲۲۰ ۸۸۰ ۱۲.۸
۴.۷ 57 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۳.۸ 32 ۲۰۰ ۹۴۰ ۱۳.۸
۵.۶ 57 31 ۳۳.۵ ۱.۲ ۳.۵ 32 ۱۸۵ ۱۰۳۶ ۱۳.۵
۶.۸ 37 29 ۴۱.۵ ۱.۲ ۲.۵ 28 ۱۰۰ ۶۸۰ ۱۳.۸
۶.۸ 57 34 ۴۶.۵ ۱.۲ ۲.۸ 30 ۱۸۰ ۱۲۲۴ ۱۴.۲

 

ولټيج یو ۱۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۵۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱۵ 32 10 ۱۷.۵ ۰.۸ 20 20 ۱۱۰۰ ۱۶۵ ۵.۵
۰.۲۲ 32 12 20 ۱ 15 21 ۱۰۰۰ ۲۲۰ ۷.۳
۰.۳۳ 32 ۱۵.۵ 23 ۱ 13 21 ۱۰۰۰ ۳۳۰ ۸.۷
۰.۴۷ 32 ۱۸.۵ 26 ۱.۲ 10 23 ۱۰۰۰ ۴۷۰ ۱۰.۵
۰.۴۷ 44 14 22 ۱.۲ 9 24 ۹۰۰ ۴۲۳ ۹.۵
۰.۶۸ 32 20 ۳۲.۵ ۱.۲ 7 25 ۹۰۰ ۶۱۲ ۱۰.۸
۰.۶۸ 44 17 25 ۱.۲ 6 26 ۸۰۰ ۵۴۴ ۱۰.۲
۱ 44 ۲۱.۵ ۲۹.۵ ۱.۲ ۵.۶ 27 ۹۰۰ ۹۰۰ 11
۱.۵ 44 26 ۳۵.۵ ۱.۲ 5 29 ۹۰۰ ۱۳۵۰ 12
۱.۵ 57 21 29 ۱.۲ 5 30 ۷۰۰ ۱۰۵۰ ۱۲.۲
2 44 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۴.۸ 30 ۸۰۰ ۱۶۰۰ ۱۳.۲
2 57 24 ۳۳.۵ ۱.۲ ۴.۸ 32 ۶۰۰ ۱۲۰۰ ۱۲.۸
۲.۲ 44 30 ۴۲.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۶۰۰ ۱۳۲۰ ۱۳.۸
۲.۲ 57 25 ۳۴.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۵۰۰ ۱۱۰۰ ۱۳.۵
۲.۵ 57 25 38 ۱.۲ 4 33 ۵۰۰ ۱۲۵۰ ۱۴.۲
3 57 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۳.۵ 34 ۴۸۰ ۱۴۴۰ ۱۵.۶
۳.۳ 57 ۲۹.۵ 42 ۱.۲ ۳.۲ 35 ۴۵۰ ۱۴۸۵ ۱۶.۵
۳.۵ 57 ۳۰.۵ 43 ۱.۲ ۳.۲ 35 ۴۵۰ ۱۵۷۵ ۱۷.۲
۴.۷ 57 35 ۵۰.۵ ۱.۲ 3 36 ۴۲۰ ۱۹۷۴ ۱۷.۸
۵.۶ 57 ۳۸.۵ 65 ۱.۲ ۲.۸ 38 ۴۰۰ ۲۲۴۰ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۱۲۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۵۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۸۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱ 32 ۸.۵ 16 ۰.۸ 20 20 ۱۳۰۰ ۱۳۰ 6
۰.۱۵ 32 10 ۱۷.۵ ۱ 18 20 ۱۲۰۰ ۱۸۰ ۷.۵
۰.۲۲ 32 13 21 ۱ 15 22 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۸.۳
۰.۳۳ 32 16 24 ۱ 12 23 ۱۲۰۰ ۳۹۶ 9
۰.۴۷ 32 ۱۷.۵ 30 ۱.۲ 10 23 ۱۲۰۰ ۵۶۴ ۹.۵
۰.۴۷ 44 15 23 ۱.۲ 9 26 ۱۱۰۰ ۵۱۷ ۹.۸
۰.۶۸ 32 ۲۱.۵ 34 ۱.۲ 8 25 ۱۱۰۰ ۵۱۷ 10
۰.۶۸ 44 ۱۸.۵ ۲۶.۵ ۱.۲ 6 27 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۱.۷
۱ 44 23 31 ۱.۲ 5 28 ۱۰۰۰ ۱۰۰۰ ۱۲.۴
۱.۵ 44 ۲۶.۵ 39 ۱.۲ 5 30 ۹۵۰ ۱۴۲۵ ۱۳.۵
۱.۵ 57 ۲۲.۵ ۳۰.۵ ۱.۲ 5 29 ۹۰۰ ۱۳۵۰ ۱۲.۶
2 44 29 45 ۱.۲ 5 30 ۸۰۰ ۱۶۰۰ ۱۴.۲
2 57 ۲۶.۵ ۳۴.۵ ۱.۲ ۴.۸ 30 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۳.۸
۲.۲ 44 31 47 ۱.۲ ۴.۲ 32 ۸۰۰ ۱۷۶۰ ۱۴.۵
۲.۲ 57 ۲۷.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۴.۲ 35 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۴.۵
3 57 29 ۴۴.۵ ۱.۲ ۳.۲ 37 ۵۰۰ ۱۵۰۰ ۱۷.۲
۳.۳ 57 ۳۰.۵ 46 ۱.۲ ۳.۲ 38 ۴۵۰ ۱۴۸۵ ۱۷.۸
۴.۷ 57 38 ۵۳.۵ ۱.۲ 3 38 ۴۲۰ ۱۹۷۴ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۱۷۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ایس ۶۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۲۵۵۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱ 32 ۹.۵ ۱۷.۵ ۰.۸ 18 25 ۱۳۰۰ ۱۳۰ ۷.۵
۰.۱۵ 32 12 20 ۱ 16 24 ۱۲۰۰ ۱۸۰ ۸.۵
۰.۲۲ 32 15 23 ۱ 15 24 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۹.۳
۰.۳۳ 32 ۱۸.۵ ۲۶.۵ ۱ 12 22 ۱۲۰۰ ۳۹۶ ۹.۹
۰.۳۳ 44 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱.۲ 12 29 ۱۱۰۰ ۳۶۳ ۱۰.۲
۰.۴۷ 44 16 24 ۱.۲ 9 28 ۱۰۰۰ ۴۷۰ ۱۱.۲
۰.۶۸ 44 20 28 ۱.۲ 8 27 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۱.۷
۱ 44 24 ۳۳.۵ ۱.۲ ۵.۶ 26 ۹۰۰ ۹۰۰ ۱۲.۴
۱ 57 ۱۹.۵ ۲۷.۵ ۱.۲ 6 33 ۸۵۰ ۸۵۰ ۱۰.۸
۱.۵ 44 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۴.۸ 25 ۸۰۰ ۱۲۰۰ ۱۳.۵
۱.۵ 57 24 32 ۱.۲ 5 33 ۷۵۰ ۱۱۲۵ ۱۳.۵
2 44 ۳۱.۵ 47 ۱.۲ ۴.۵ 24 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۴.۲
2 57 ۲۷.۵ 37 ۱.۲ ۴.۸ 32 ۶۵۰ ۱۳۰۰ ۱۲.۸
۲.۲ 44 ۳۳.۵ 49 ۱.۲ ۴.۵ 34 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۵.۶
۲.۲ 57 29 40 ۱.۲ ۴.۲ 32 ۶۰۰ ۱۳۲۰ ۱۴.۵
3 57 31 ۴۶.۵ ۱.۲ 4 30 ۵۶۰ ۱۶۸۰ ۱۷.۲
۳.۳ 57 33 ۴۸.۵ ۱.۲ ۳.۲ 29 ۵۰۰ ۱۶۵۰ ۱۷.۶
4 57 37 ۵۲.۵ ۱.۲ 3 28 ۴۵۰ ۱۸۰۰ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۷۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۳۰۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۶۸ 32 9 17 ۰.۸ 25 23 ۱۵۰۰ ۱۰۲ ۶.۹
۰.۱ 32 ۱۱.۵ ۱۹.۵ ۱ 18 22 ۱۵۰۰ ۱۵۰ ۸.۲
۰.۱ 37 ۱۰.۵ ۱۸.۵ ۱ 18 26 ۱۴۵۰ ۱۴۵ 8
۰.۲۲ 32 ۱۷.۵ ۲۵.۵ ۱.۲ 15 21 ۱۴۰۰ ۳۰۸ ۹.۱
۰.۲۲ 37 16 24 ۱.۲ 15 25 ۱۳۰۰ ۲۸۶ 9
۰.۳۳ 37 20 28 ۱.۲ 12 24 ۱۲۵۰ ۴۱۲.۵ ۹.۵
۰.۳۳ 44 18 26 ۱.۲ 12 30 ۱۲۰۰ ۳۹۶ ۱۰.۲
۰.۴۷ 44 ۱۹.۵ 32 ۱.۲ 10 29 ۱۱۰۰ ۵۱۷ ۱۲.۴
۰.۶۸ 44 24 ۳۶.۵ ۱.۲ 8 28 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۴.۲
۰.۶۸ 57 ۱۸.۵ 31 ۱.۲ 8 27 ۹۰۰ ۶۱۲ ۱۴.۲
۱ 57 ۲۳.۵ 36 ۱.۲ 6 31 ۹۵۰ ۹۵۰ ۱۴.۵
۱.۵ 57 ۲۹.۵ 42 ۱.۲ 5 31 ۸۵۰ ۱۲۷۵ ۱۴.۵
2 57 33 ۴۸.۵ ۱.۲ ۴.۲ 31 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۶.۵
۲.۲ 57 35 ۵۰.۵ ۱.۲ 4 30 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۷.۸

 

ولټيج یو 3000V.DC؛ یو 750Vac؛ یو 4500V
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۴۷ 44 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱ 22 20 ۲۰۰۰ 94 ۸.۵
۰.۰۶۸ 44 17 25 ۱ 20 20 ۱۸۰۰ ۱۲۲.۴ ۱۰.۵
۰.۱ 44 ۲۰.۵ ۲۸.۵ ۱.۲ 18 20 ۱۵۰۰ ۱۵۰ ۱۲.۴
۰.۱۵ 44 26 34 ۱.۲ 16 22 ۱۳۵۰ ۲۰۲.۵ ۱۳.۸
۰.۲۲ 44 29 ۴۱.۵ ۱.۲ ۱۴.۵ 22 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۱۴.۵

د محصول تفصیل انځورونه:

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیلي انځورونه

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیلي انځورونه

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیلي انځورونه


د اړوندو محصولاتو لارښود:

د دې لپاره چې تاسو ته ګټه درکړو او زموږ سوداګریز تصدۍ پراخه کړو، موږ حتی په QC کارمندانو کې تفتیش کونکي لرو او تاسو ته ډاډ درکوو چې د PCB Capacitor لپاره د نوي کیدونکي ډیزاین لپاره زموږ ترټولو لوی چمتو کونکی او توکي - محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE، دا محصول به په ټوله نړۍ کې عرضه کړي، لکه: بلجیم، بلغاریا، سویلي کوریا، د لوړ کیفیت، رقابتي نرخ، او زموږ د بشپړ رینج خدماتو سره د محصولاتو او حلونو پراساس، موږ تجربه لرونکي ځواک او تجربه راټوله کړې، او موږ په ساحه کې خورا ښه شهرت جوړ کړی دی. د دوامداره پرمختګ سره سره، موږ نه یوازې د چین کورني سوداګرۍ ته بلکې نړیوال بازار ته هم ژمن یو. اجازه راکړئ چې تاسو زموږ د لوړ کیفیت لرونکي توکو او جذباتي خدماتو له لارې حرکت وکړئ. راځئ چې د متقابل ګټې او دوه ګوني بریا یو نوی فصل پرانیزو.
  • دا شرکت د انتخاب لپاره ډېر چمتو انتخابونه لري او همدارنګه کولی شي زموږ د غوښتنې سره سم نوی پروګرام تنظیم کړي، کوم چې زموږ اړتیاوې پوره کولو لپاره خورا ښه دی. ۵ ستوري د اوکتاویا لخوا له نیروبي څخه - ۲۰۱۷.۱۱.۲۹ ۱۱:۰۹
    د چینایي تولید کونکي سره د دې همکارۍ په اړه خبرې کول، زه یوازې غواړم ووایم "ښه، ښه"، موږ ډیر خوښ یو. ۵ ستوري د بلجیم څخه د آسټین هیلمن لخوا - 2018.12.14 15:26

    خپل پیغام موږ ته واستوئ:

    خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ

    خپل پیغام موږ ته واستوئ: