د IGBT بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ چوکۍ اوسني سنوبر فلم کیپسیټر ډیزاین - CRE

لنډ معلومات:

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

اړونده ویډیو

نظر (2)

د مسؤلیت غوره او په زړه پورې کریډیټ درجه بندي زموږ اصول دي، کوم چې به موږ سره د لوړ رتبه مقام کې مرسته وکړي. د "لومړی کیفیت، د پیرودونکي غوره" اصولو ته غاړه ایښودل.دودیز شوی کپاسیټر حل , د نوي انرژۍ بریښنا سیسټم لپاره د فلم کپاسیټر , د بریښنا فاکتور اصلاح لپاره کپاسیټر، موږ د توکو پراخه عرضه لرو او قیمت زموږ ګټه ده. زموږ د محصولاتو په اړه پوښتنې ته ښه راغلاست.

د IGBT بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ چوکۍ اوسني سنوبر فلم کیپسیټر ډیزاین - د CRE تفصیل:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي تودوخې حد	اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: +105℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85 ℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40 ℃
د ظرفیت حد	۰.۱μF~۵.۶μF
ټاکل شوی ولتاژ	۷۰۰ وولټ. ډي سي ~ ۳۰۰۰ وولټ. ډي سي
کیپټول	±۵٪(J);±۱۰٪(K)
د ولتاژ سره مقاومت وکړئ	۱.۵ ان ډي سي/۱۰ ایس
د ضایع کیدو فکتور	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S کې) C＞0.33μF RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC 60S)
د ضربې جریان سره مقاومت وکړئ	ډیټاشیټ وګورئ
د اور لمبې کموالی	د UL94V-0 معرفي کول
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
د حوالې معیار	IEC61071;GB/T17702;

د مشخصاتو جدول

ولټيج	یو ۷۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ۴۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۰۵۰ وولټ
	ابعاد (ملي متره)
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR @۱۰۰KHz (mΩ)	د ESL(nH)	ډي وي/ډي ټي (وي/μS)	د IPK(A)	د حرارت درجه: ۴۰ ℃ @ ۱۰۰ کلو هرټز (الف)
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	25	۴۸۰	۳۲۶.۴	10
1	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
۱.۵	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	۴۲.۵	33	۳۵.۵	6	24	۴۲۰	۸۴۰	15
۲.۵	۴۲.۵	33	45	6	23	۴۰۰	۱۰۰۰	18
3	۴۲.۵	33	45	۵.۵	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	۵۷.۵	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
۳.۵	۴۲.۵	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
۳.۵	۵۷.۵	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
۴.۷	۵۷.۵	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶	25
۵.۶	۵۷.۵	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	۵۷.۵	38	54	۳.۵	33	۲۳۰	۱۳۸۰	28
۶.۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولټيج	یو ۱۰۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ۵۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۵۰۰ وولټ
	ابعاد (ملي متره)
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR(mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	د کارموندنې
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	25	۱۰۰۰	۴۷۰	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	۴۲.۵	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	۵۷.۵	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	35	50	۳.۵	28	۵۵۰	۱۸۱۵	25
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	۵۷.۵	38	54	۳.۲	26	۵۰۰	۲۰۰۰	28
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	3	25	۴۲۰	۱۹۷۴	30
۵.۶	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولټيج	یو ۱۲۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۵۵۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۱۸۰۰ وولټ
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR(mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	د کارموندنې
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
۱.۵	۴۲.۵	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	۵۷.۵	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	۵۷.۵	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵	28
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	23	۴۲۰	۱۹۷۴	32
ولټيج	یو ۱۷۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۵۷۵ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۲۲۵۰ وولټ
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR(mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	د کارموندنې
۰.۳۳	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	۴۲.۵	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
۱.۵	۵۷.۵	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	۵۷.۵	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۱۱۰۰	۲۷۵۰	25
3	۵۷.۵	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	۳.۸	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
۳.۵	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولټيج	یو ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۷۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۳۰۰۰ وولټ
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR(mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	د کارموندنې
۰.۲۲	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
۰.۳۳	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
۰.۴۷	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
۰.۶۸	۴۲.۵	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
۰.۶۸	۵۷.۵	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
۰.۸۲	۴۲.۵	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	۵۷.۵	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
۱.۵	۵۷.۵	35	50	5	25	۱۰۰۰	۱۵۰۰	28
2	۵۷.۵	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
۲.۲	۵۷.۵	۴۲.۵	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولټيج	یو 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
Cn(μF)	ل(±۱)	ټي (±۱)	د H(±1)	د ESR(mΩ)	د ESL(nH)	د dv/dt(V/μS)	د IPK(A)	د کارموندنې
۰.۱۵	۴۲.۵	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
۰.۲۲	۴۲.۵	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
۰.۲۲	۵۷.۵	35	50	15	25	۲۰۰۰	۳۳۰	20
۰.۳۳	۵۷.۵	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
۰.۴۷	۵۷.۵	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
۰.۶۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

د محصول تفصیل انځورونه:

د اړوندو محصولاتو لارښود:

د پیرودونکو لپاره اضافي ارزښت رامینځته کول زموږ د تشبث فلسفه ده؛ د پیرودونکي وده د OEM تولید کونکي پاور الیکترونیکي فلم کیپسیټر لپاره زموږ کاري تعقیب دی - د IGBT بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ پوړ اوسني سنبر فلم کیپسیټر ډیزاین - CRE، محصول به په ټوله نړۍ کې عرضه کړي، لکه: پرتګال، تایلینډ، روم، موږ په دوامداره توګه د حلونو په ارتقا ټینګار کړی، په ټیکنالوژیکي لوړولو کې ښه فنډونه او بشري سرچینې مصرف کړې، او د تولید ښه والی اسانه کوو، د ټولو هیوادونو او سیمو څخه د امکاناتو اړتیاوې پوره کوو.

محوري سنوبر فلم کپاسیټر