د OEM تولید کونکي بریښنا بریښنایی فلم کپیسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE

د OEM تولید کونکي بریښنا بریښنایی فلم کیپسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE ځانګړی عکس

لنډ معلومات:

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

اړونده ویډیو

نظر (2)

موږ د لوړ کیفیت او پرمختګ، سوداګرۍ، عوایدو او انټرنیټ بازارموندنې او عملیاتو لپاره ښه ځواک چمتو کوود لوړ ولتاژ بریښنا بریښنایی کاپسیټر , ټيټ انډکټانس Capacitors , د فلم Capacitor ډیزاین، موږ د نړۍ له ټولو برخو څخه پیرودونکو ، سوداګریزو اتحادیو او ملګرو ته ښه راغلاست وایو چې موږ سره اړیکه ونیسو او د دوه اړخیزو ګټو لپاره همکاري وغواړو.

د OEM تولید کونکي بریښنا بریښنایی فلم کپیسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE توضیحات:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي حرارت درجه	اعظمي. د عملیاتي تودوخې.، پورته، اعظمي: +105 ℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85 ℃ د ټیټ درجه حرارت درجه: -40 ℃
د ظرفیت حد	0.1μF～5.6μF
درجه بندي ولتاژ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
د ولتاژ په وړاندې مقاومت	1.5Un DC/10S
د تخریب عامل	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(په 20℃ 100V.DC 60S)
د اوسني اعتصاب سره مقاومت وکړئ	ډیټاشیټ وګورئ
د شعاع مخنیوی	UL94V-0
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
د حوالې معیار	IEC61071;GB/T17702;

د مشخصاتو جدول

ولټيج	یون 700V.DC،Urms400Vac؛Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	۴۸۰	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	۸۴۰	15
2.5	42.5	33	45	6	23	۴۰۰	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	57.5	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
3.5	42.5	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
3.5	57.5	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
4.7	57.5	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶ ل	25
5.6	57.5	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	57.5	38	54	3.5	33	۲۳۰	۱۳۸۰ ل	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولټيج	یون 1000V.DC،Urms500Vac؛Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	۴۷۰	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	42.5	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
2.5	57.5	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	57.5	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	57.5	38	54	3.2	26	۵۰۰	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	۱۹۷۴	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولټيج	Un 1200V.DC،Urms550Vac؛Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
1.5	42.5	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	57.5	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
2.5	57.5	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	57.5	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	۱۹۷۴	32
ولټيج	یون 1700V.DC،Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	42.5	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
1.5	57.5	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	57.5	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
2.5	57.5	35	50	4	28	۱۱۰۰	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولټيج	یون 2000V.DC،Urms700Vac؛Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
0.68	42.5	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
0.68	57.5	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
0.82	42.5	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	57.5	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	۱۵۰۰	28
2	57.5	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولټيج	یون 3000V.DC،Urms750Vac؛Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.15	42.5	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
0.22	42.5	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	۳۳۰	20
0.33	57.5	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
0.47	57.5	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

د محصول تفصیل انځورونه:

اړونده محصول لارښود:

د "اخلاص، ښه دین او لوړ کیفیت د تصدۍ د پراختیا اساس دی" د اصولو له مخې په منظم ډول د مدیریت برنامه زیاتولو لپاره ، موږ په نړیواله کچه د تړل شوي محصولاتو جوهر خورا جذب کوو ، او په دوامداره توګه د پیرودونکو غوښتنې پوره کولو لپاره نوي توکي تولید کوو. د OEM تولید کونکي بریښنا بریښنایی فلم کیپسیټر لپاره - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کیپسیټر ډیزاین - CRE ، محصول به ټولې نړۍ ته عرضه کړي ، لکه: کروشیا ، میامي ، هنګري ، موږ اوس حتی په تمه یو. د دوه اړخیزو ګټو پراساس د بهرنیو پیرودونکو سره پراخه همکاري.موږ به د خپلو محصولاتو او خدماتو د ښه کولو لپاره په بشپړ ډول کار وکړو.موږ همدا راز ژمنه کوو چې د سوداګریزو شریکانو سره په ګډه کار کوو ترڅو زموږ همکارۍ لوړې کچې ته ورسوو او بریالیتوبونه په ګډه شریک کړو.تاسو ته ښه راغلاست زموږ د فابریکې څخه په اخلاص سره لیدنه وکړئ.

Axial Snubber Film Capacitor

د ګمرک ډیزاین شوي Ac Capacitor

د سلنډر پلاستيکي قضیه Capacitor

د وچ ډول فلم capacitor

د Ess Capacitor

د نوي انرژي بریښنا سیسټم لپاره د فلم کیپیسیټر

د لوړ فعالیت AC فلټر کولو کیپسیټرونه

د انډکشن حرارتی بریښنا رسولو کیپاسیټر

د حجرو تولیدونکي لپاره فلزي شوي فلم کپیسیټر

Snubber فلم capacitor

زموږ په همکارۍ عمده پلورونکو کې، دا شرکت غوره کیفیت او مناسب قیمت لري، دوی زموږ لومړی انتخاب دی.

له کروشیا څخه کلیمن هروات - 2018.08.12 12:27

دا شرکت د "غوره کیفیت، د پروسس ټیټ لګښتونه، نرخونه ډیر مناسب دي" نظر لري، نو دوی د رقابتي محصول کیفیت او قیمت لري، دا اصلي دلیل دی چې موږ د همکارۍ غوره کړې.

له متحده عربي اماراتو څخه جان بډلسټون لخوا - 2018.09.21 11:01