فلزي شوي فلم IGBT سنبر کپیسیټر

لنډ معلومات:

1. پلاستيکي قضیه، د رال سره مهر شوی؛

2. د ټین پلیټ شوي مسو داخلول لیډونه، د IGBT لپاره اسانه نصب کول؛

3. د لوړ ولتاژ مقاومت، ټیټ tgδ، د تودوخې ټیټ لوړوالی؛

4. ټیټ ESL او ESR؛

5. لوړ نبض جریان.

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

د SMJ-P لړۍ

د بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو کې ، د سنوببر کیپسیټر د بریښنایی تارونو پرازیتي انډکشن کمولو لپاره د لوی اوسني سویچنګ نوډ سره وصل دی.

پرازیتي انډکشن د سویچ آف په وخت کې د لوی زیاتوالی لامل کیږي (کله چې جریان بند شوی وي) او که چیرې دا ډول زیاتوالی د اجزاو درجې څخه ډیر وي، په بدترین حالت کې د پایلې ناکامۍ اندیښنې شتون لري.

د ټیټ انډکشن داخلي جوړښتونو په کارولو سره ، اختیاري مولډ رال قضیې ، او دودیز شوي پای ته رسیدو سره ، د SMJ-P لړۍ د IGBTS ګړندي سویچ کولو لپاره ډیزاین شوې او کولی شي د سنوببرانو او لوړ اوسني لوړ فریکونسۍ ان پټ فلټرونو په توګه خدمت وکړي.

تخنیکي معلومات

ولټيج	یون 700V.DC،Urms400Vac؛Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	۴۸۰	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	۸۴۰	15
2.5	42.5	33	45	6	23	۴۰۰	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	57.5	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
3.5	42.5	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
3.5	57.5	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
4.7	57.5	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶ ل	25
5.6	57.5	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	57.5	38	54	3.5	33	۲۳۰	۱۳۸۰ ل	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولټيج	یون 1000V.DC،Urms500Vac؛Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	۴۷۰	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	42.5	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
2.5	57.5	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	57.5	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	57.5	38	54	3.2	26	۵۰۰	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	۱۹۷۴ ز	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولټيج	Un 1200V.DC،Urms550Vac؛Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
1.5	42.5	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	57.5	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
2.5	57.5	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	57.5	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	۱۹۷۴ ز	32
ولټيج	یون 1700V.DC،Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	42.5	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
1.5	57.5	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	57.5	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
2.5	57.5	35	50	4	28	۱۱۰۰	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولټيج	یون 2000V.DC،Urms700Vac؛Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
0.68	42.5	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
0.68	57.5	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
0.82	42.5	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	57.5	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	۱۵۰۰	28
2	57.5	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولټيج	یون 3000V.DC،Urms750Vac؛Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.15	42.5	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
0.22	42.5	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	۳۳۰	20
0.33	57.5	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
0.47	57.5	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28