د ویلډینګ ماشین (SMJ-TC) لپاره د لوړ اوسني فلم کپیسیټر سنوبر

د ویلډینګ ماشین (SMJ-TC) ځانګړی انځور لپاره د لوړ اوسني فلم کپاسیټر سنوبر

لنډ معلومات:

د Capacitor ماډل: SMJ-TC

برخی:

1. د مسو مغز الکترودونه

2. کوچنۍ فزیکي اندازه او اسانه نصب کول

3. Mylar ټیپ د بادولو ټیکنالوژي

4. وچ رال ډکول

5. د ټیټ مساوي لړۍ انډکټانس (ESL) او د مساوي لړۍ مقاومت (ESR)

غوښتنلیکونه:

1. GTO Snubber

2. په بریښنایی تجهیزاتو کې د برخې بدلولو لپاره د لوړ ولټاژ او لوړ اوسني جذب او محافظت

د سنوبر سرکټونه د ډیایډونو لپاره اړین دي چې د بدلولو سرکټونو کې کارول کیږي.دا کولی شي ډایډډ د overvoltage سپکونو څخه وژغوري، کوم چې کیدای شي د بیرته راستنیدو پروسې په جریان کې رامنځ ته شي.

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

تخنیکي معلومات

د عملیاتي حرارت درجه	اعظمي. عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: + 85 ℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85 ℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40 ℃
د ظرفیت حد	0.22～3μF
درجه بندي ولتاژ	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
د ولتاژ په وړاندې مقاومت	1.35Un DC/10S
د تخریب عامل	tgδ≤0.001 f=1KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S کې) C＞0.33μF RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC 60S)
د اوسني اعتصاب سره مقاومت وکړئ	ډیټاشیټ وګورئ
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤70°C)
د حوالې معیار	IEC 61071 ;

فیچر

1. Mylar ټیپ، د رال سره مهر شوی؛

2. د مسو مغز لیډز؛

3. د لوړ ولتاژ مقاومت، ټیټ tgδ، د تودوخې ټیټ لوړوالی؛

4. ټیټ ESL او ESR؛

5. لوړ نبض جریان.

غوښتنلیک

1. GTO Snubber.

2. په پراخه کچه د بریښنا بریښنایی تجهیزاتو کې کارول کیږي کله چې د لوړ ولټاژ ، لوړ اوسني جذب محافظت.

عادي سرکټ

د نقشې نقشه

مشخصات

Un=3000V.DC
ظرفیت (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	۱۱۰۰	۲۴۲	30
0.33	43	44	52	25	1000	۳۳۰	35
0.47	51	44	52	22	۸۵۰	۳۹۹	45
0.68	61	44	52	22	۸۰۰	۵۴۴	55
1	74	44	52	20	۷۰۰	۷۰۰	65
1.2	80	44	52	20	۶۵۰	۷۸۰	75
1.5	52	70	84	30	۶۰۰	۹۰۰	45
2.0	60	70	84	30	۵۰۰	1000	55
3.0	73	70	84	30	۴۰۰	۱۲۰۰	65
4.0	83	70	84	30	۳۵۰	۱۴۰۰	70
Un=6000V.DC
ظرفیت (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	۱۵۰۰	۳۳۰	35
0.33	52	60	72	25	۱۲۰۰	۳۹۶	45
0.47	62	60	72	25	1000	۴۷۰	50
0.68	74	60	72	22	۹۰۰	۶۱۲	60
1	90	60	72	22	۸۰۰	۹۰۰	75

Un=7000V.DC
ظرفیت (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	۱۱۰۰	۲۴۲	30
0.68	36	80	92	28	1000	۶۸۰	25
۱.۰	43	80	92	28	۸۵۰	۸۵۰	30
1.5	52	80	92	25	۸۰۰	۱۲۰۰	35
1.8	57	80	92	25	۷۰۰	۱۲۶۰	40
2.0	60	80	92	23	۶۵۰	۱۳۰۰	45
3.0	73	80	92	22	۵۰۰	۱۵۰۰	50

Un=8000V.DC
ظرفیت (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	۱۰۲	30	۱۱۰۰	۳۶۳	25
0.47	41	90	۱۰۲	28	1000	۴۷۰	30
0.68	49	90	۱۰۲	28	۸۵۰	۵۷۸	35
1	60	90	۱۰۲	25	۸۰۰	۸۰۰	40
1.5	72	90	۱۰۲	25	۷۰۰	۱۰۵۰	45
2.0	83	90	۱۰۲	25	۶۵۰	۱۳۰۰	50

Un=10000V.DC
ظرفیت (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	۱۱۴	۱۲۳	35	۱۵۰۰	۴۹۵	30
0.47	54	۱۱۴	۱۲۳	35	۱۳۰۰	۶۱۱	35
0.68	65	۱۱۴	۱۲۳	35	۱۲۰۰	۸۱۶	40
1	78	۱۱۴	۱۲۳	30	1000	1000	55
1.5	95	۱۱۴	۱۲۳	30	۸۰۰	۱۲۰۰	70