• بي بي بي

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE

لنډ معلومات:


د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

اړونده ویډیو

نظر (2)

موږ په قوي تخنیکي ځواک تکیه کوو او په دوامداره توګه د تقاضا پوره کولو لپاره پرمختللي ټیکنالوژي رامینځته کوود لوړ ولټاژ بریښنا الکترونیکي کپاسیټر , د ټیټ بریښنا ضایع کول د انډکشن حرارتی کیپسیټر , د بریښنا کیفیت او اعتبار ښه کولو لپاره د Ac کپاسیټر، په یوه کلمه کې، کله چې تاسو موږ غوره کوئ، تاسو یو بشپړ ژوند غوره کوئ. زموږ د فابریکې څخه لیدنه او ستاسو امر ته ښه راغلاست! د نورو پوښتنو لپاره، مهرباني وکړئ له موږ سره اړیکه ونیسئ.
محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیل:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي تودوخې حد اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: + 85℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40℃
د ظرفیت حد ۰.۱μF~۵.۶μF
ټاکل شوی ولتاژ

۶۳۰ وولټ. ډي سي ~ ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي

کیپټول

±۵٪(J) ;±۱۰٪(K)

د ولتاژ سره مقاومت وکړئ

۱.۵ ان ډي سي/۱۰ ایس

د ضایع کیدو فکتور

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

د موصلیت مقاومت

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S کې)

C>0.33μF RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC 60S کې)

د ضربې جریان سره مقاومت وکړئ
د ژوند تمه

100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)

د حوالې معیار

د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۰۷۱؛ د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۸۸۱؛ جي بي/ټي ۱۷۷۰۲

غوښتنلیک

۱. د IGBT سنوبر.

2. په پراخه کچه د بریښنایی تجهیزاتو کې کارول کیږي کله چې د لوړ ولتاژ، د لوړ جریان جذب محافظت وي.

د خاکې رسمول

 

۱

 

 

 

 

د SMJ-TE محوري کپاسیټر
ولټيج Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۲۲ 32 ۹.۵ ۱۷.۵ ۰.۸ 16 23 ۳۰۰ 66 ۵.۳
۰.۳۳ 32 12 20 ۱ 13 22 ۲۰۰ 66 ۶.۵
۰.۴۷ 32 ۱۴.۵ ۲۲.۵ ۱ 11 21 ۲۲۰ ۱۰۳.۴ ۸.۳
۰.۶۸ 32 18 26 ۱ 10 20 ۱۸۰ ۱۲۲.۴ ۹.۵
۱ 37 11 19 ۱ 8 28 ۱۵۰ ۱۵۰ ۷.۶
۱.۵ 37 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱ 7 27 ۱۵۰ ۲۲۵ ۹.۵
2 37 16 24 ۱.۲ 6 24 ۱۳۰ ۲۶۰ ۱۰.۲
۲.۵ 37 18 26 ۱.۲ ۵.۵ 25 ۱۲۰ ۳۰۰ ۱۰.۵
3 37 20 28 ۱.۲ 5 30 ۱۱۰ ۳۳۰ ۱۰.۸
۳.۳ 37 21 29 ۱.۲ ۴.۵ 30 ۱۱۰ ۳۶۳ ۱۱.۲
4 57 27 ۳۶.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۲۲۰ ۸۸۰ ۱۲.۸
۴.۷ 57 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۳.۸ 32 ۲۰۰ ۹۴۰ ۱۳.۸
۵.۶ 57 31 ۳۳.۵ ۱.۲ ۳.۵ 32 ۱۸۵ ۱۰۳۶ ۱۳.۵
۶.۸ 37 29 ۴۱.۵ ۱.۲ ۲.۵ 28 ۱۰۰ ۶۸۰ ۱۳.۸
۶.۸ 57 34 ۴۶.۵ ۱.۲ ۲.۸ 30 ۱۸۰ ۱۲۲۴ ۱۴.۲

 

ولټيج یو ۱۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۵۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱۵ 32 10 ۱۷.۵ ۰.۸ 20 20 ۱۱۰۰ ۱۶۵ ۵.۵
۰.۲۲ 32 12 20 ۱ 15 21 ۱۰۰۰ ۲۲۰ ۷.۳
۰.۳۳ 32 ۱۵.۵ 23 ۱ 13 21 ۱۰۰۰ ۳۳۰ ۸.۷
۰.۴۷ 32 ۱۸.۵ 26 ۱.۲ 10 23 ۱۰۰۰ ۴۷۰ ۱۰.۵
۰.۴۷ 44 14 22 ۱.۲ 9 24 ۹۰۰ ۴۲۳ ۹.۵
۰.۶۸ 32 20 ۳۲.۵ ۱.۲ 7 25 ۹۰۰ ۶۱۲ ۱۰.۸
۰.۶۸ 44 17 25 ۱.۲ 6 26 ۸۰۰ ۵۴۴ ۱۰.۲
۱ 44 ۲۱.۵ ۲۹.۵ ۱.۲ ۵.۶ 27 ۹۰۰ ۹۰۰ 11
۱.۵ 44 26 ۳۵.۵ ۱.۲ 5 29 ۹۰۰ ۱۳۵۰ 12
۱.۵ 57 21 29 ۱.۲ 5 30 ۷۰۰ ۱۰۵۰ ۱۲.۲
2 44 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۴.۸ 30 ۸۰۰ ۱۶۰۰ ۱۳.۲
2 57 24 ۳۳.۵ ۱.۲ ۴.۸ 32 ۶۰۰ ۱۲۰۰ ۱۲.۸
۲.۲ 44 30 ۴۲.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۶۰۰ ۱۳۲۰ ۱۳.۸
۲.۲ 57 25 ۳۴.۵ ۱.۲ ۴.۲ 32 ۵۰۰ ۱۱۰۰ ۱۳.۵
۲.۵ 57 25 38 ۱.۲ 4 33 ۵۰۰ ۱۲۵۰ ۱۴.۲
3 57 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۳.۵ 34 ۴۸۰ ۱۴۴۰ ۱۵.۶
۳.۳ 57 ۲۹.۵ 42 ۱.۲ ۳.۲ 35 ۴۵۰ ۱۴۸۵ ۱۶.۵
۳.۵ 57 ۳۰.۵ 43 ۱.۲ ۳.۲ 35 ۴۵۰ ۱۵۷۵ ۱۷.۲
۴.۷ 57 35 ۵۰.۵ ۱.۲ 3 36 ۴۲۰ ۱۹۷۴ ۱۷.۸
۵.۶ 57 ۳۸.۵ 65 ۱.۲ ۲.۸ 38 ۴۰۰ ۲۲۴۰ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۱۲۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۵۵۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۸۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱ 32 ۸.۵ 16 ۰.۸ 20 20 ۱۳۰۰ ۱۳۰ 6
۰.۱۵ 32 10 ۱۷.۵ ۱ 18 20 ۱۲۰۰ ۱۸۰ ۷.۵
۰.۲۲ 32 13 21 ۱ 15 22 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۸.۳
۰.۳۳ 32 16 24 ۱ 12 23 ۱۲۰۰ ۳۹۶ 9
۰.۴۷ 32 ۱۷.۵ 30 ۱.۲ 10 23 ۱۲۰۰ ۵۶۴ ۹.۵
۰.۴۷ 44 15 23 ۱.۲ 9 26 ۱۱۰۰ ۵۱۷ ۹.۸
۰.۶۸ 32 ۲۱.۵ 34 ۱.۲ 8 25 ۱۱۰۰ ۵۱۷ 10
۰.۶۸ 44 ۱۸.۵ ۲۶.۵ ۱.۲ 6 27 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۱.۷
۱ 44 23 31 ۱.۲ 5 28 ۱۰۰۰ ۱۰۰۰ ۱۲.۴
۱.۵ 44 ۲۶.۵ 39 ۱.۲ 5 30 ۹۵۰ ۱۴۲۵ ۱۳.۵
۱.۵ 57 ۲۲.۵ ۳۰.۵ ۱.۲ 5 29 ۹۰۰ ۱۳۵۰ ۱۲.۶
2 44 29 45 ۱.۲ 5 30 ۸۰۰ ۱۶۰۰ ۱۴.۲
2 57 ۲۶.۵ ۳۴.۵ ۱.۲ ۴.۸ 30 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۳.۸
۲.۲ 44 31 47 ۱.۲ ۴.۲ 32 ۸۰۰ ۱۷۶۰ ۱۴.۵
۲.۲ 57 ۲۷.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۴.۲ 35 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۴.۵
3 57 29 ۴۴.۵ ۱.۲ ۳.۲ 37 ۵۰۰ ۱۵۰۰ ۱۷.۲
۳.۳ 57 ۳۰.۵ 46 ۱.۲ ۳.۲ 38 ۴۵۰ ۱۴۸۵ ۱۷.۸
۴.۷ 57 38 ۵۳.۵ ۱.۲ 3 38 ۴۲۰ ۱۹۷۴ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۱۷۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ایس ۶۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۲۵۵۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۱ 32 ۹.۵ ۱۷.۵ ۰.۸ 18 25 ۱۳۰۰ ۱۳۰ ۷.۵
۰.۱۵ 32 12 20 ۱ 16 24 ۱۲۰۰ ۱۸۰ ۸.۵
۰.۲۲ 32 15 23 ۱ 15 24 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۹.۳
۰.۳۳ 32 ۱۸.۵ ۲۶.۵ ۱ 12 22 ۱۲۰۰ ۳۹۶ ۹.۹
۰.۳۳ 44 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱.۲ 12 29 ۱۱۰۰ ۳۶۳ ۱۰.۲
۰.۴۷ 44 16 24 ۱.۲ 9 28 ۱۰۰۰ ۴۷۰ ۱۱.۲
۰.۶۸ 44 20 28 ۱.۲ 8 27 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۱.۷
۱ 44 24 ۳۳.۵ ۱.۲ ۵.۶ 26 ۹۰۰ ۹۰۰ ۱۲.۴
۱ 57 ۱۹.۵ ۲۷.۵ ۱.۲ 6 33 ۸۵۰ ۸۵۰ ۱۰.۸
۱.۵ 44 28 ۴۰.۵ ۱.۲ ۴.۸ 25 ۸۰۰ ۱۲۰۰ ۱۳.۵
۱.۵ 57 24 32 ۱.۲ 5 33 ۷۵۰ ۱۱۲۵ ۱۳.۵
2 44 ۳۱.۵ 47 ۱.۲ ۴.۵ 24 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۴.۲
2 57 ۲۷.۵ 37 ۱.۲ ۴.۸ 32 ۶۵۰ ۱۳۰۰ ۱۲.۸
۲.۲ 44 ۳۳.۵ 49 ۱.۲ ۴.۵ 34 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۵.۶
۲.۲ 57 29 40 ۱.۲ ۴.۲ 32 ۶۰۰ ۱۳۲۰ ۱۴.۵
3 57 31 ۴۶.۵ ۱.۲ 4 30 ۵۶۰ ۱۶۸۰ ۱۷.۲
۳.۳ 57 33 ۴۸.۵ ۱.۲ ۳.۲ 29 ۵۰۰ ۱۶۵۰ ۱۷.۶
4 57 37 ۵۲.۵ ۱.۲ 3 28 ۴۵۰ ۱۸۰۰ ۱۸.۲

 

ولټيج یو ۲۰۰۰ وولټ. ډي سي؛ یو آر ایم ۷۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۳۰۰۰ وولټ
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۶۸ 32 9 17 ۰.۸ 25 23 ۱۵۰۰ ۱۰۲ ۶.۹
۰.۱ 32 ۱۱.۵ ۱۹.۵ ۱ 18 22 ۱۵۰۰ ۱۵۰ ۸.۲
۰.۱ 37 ۱۰.۵ ۱۸.۵ ۱ 18 26 ۱۴۵۰ ۱۴۵ 8
۰.۲۲ 32 ۱۷.۵ ۲۵.۵ ۱.۲ 15 21 ۱۴۰۰ ۳۰۸ ۹.۱
۰.۲۲ 37 16 24 ۱.۲ 15 25 ۱۳۰۰ ۲۸۶ 9
۰.۳۳ 37 20 28 ۱.۲ 12 24 ۱۲۵۰ ۴۱۲.۵ ۹.۵
۰.۳۳ 44 18 26 ۱.۲ 12 30 ۱۲۰۰ ۳۹۶ ۱۰.۲
۰.۴۷ 44 ۱۹.۵ 32 ۱.۲ 10 29 ۱۱۰۰ ۵۱۷ ۱۲.۴
۰.۶۸ 44 24 ۳۶.۵ ۱.۲ 8 28 ۱۰۰۰ ۶۸۰ ۱۴.۲
۰.۶۸ 57 ۱۸.۵ 31 ۱.۲ 8 27 ۹۰۰ ۶۱۲ ۱۴.۲
۱ 57 ۲۳.۵ 36 ۱.۲ 6 31 ۹۵۰ ۹۵۰ ۱۴.۵
۱.۵ 57 ۲۹.۵ 42 ۱.۲ 5 31 ۸۵۰ ۱۲۷۵ ۱۴.۵
2 57 33 ۴۸.۵ ۱.۲ ۴.۲ 31 ۷۵۰ ۱۵۰۰ ۱۶.۵
۲.۲ 57 35 ۵۰.۵ ۱.۲ 4 30 ۷۰۰ ۱۵۴۰ ۱۷.۸

 

ولټيج یو 3000V.DC؛ یو 750Vac؛ یو 4500V
ظرفیت (uF) ل (ملي متره±۱) ټ (ملي متره±۱) ح (ملي متره±۱) φd (ملي متر) د ESR @۱۰۰KHz (mΩ) د ESL(nH) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) حرارتي فشارونه @۲۵℃ @۱۰۰KHz (A)
۰.۰۴۷ 44 ۱۳.۵ ۲۱.۵ ۱ 22 20 ۲۰۰۰ 94 ۸.۵
۰.۰۶۸ 44 17 25 ۱ 20 20 ۱۸۰۰ ۱۲۲.۴ ۱۰.۵
۰.۱ 44 ۲۰.۵ ۲۸.۵ ۱.۲ 18 20 ۱۵۰۰ ۱۵۰ ۱۲.۴
۰.۱۵ 44 26 34 ۱.۲ 16 22 ۱۳۵۰ ۲۰۲.۵ ۱۳.۸
۰.۲۲ 44 29 ۴۱.۵ ۱.۲ ۱۴.۵ 22 ۱۲۰۰ ۲۶۴ ۱۴.۵

د محصول تفصیل انځورونه:

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیل انځورونه

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیل انځورونه

محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - د CRE تفصیل انځورونه


د اړوندو محصولاتو لارښود:

ښه چلول شوي وسایل، د متخصصینو د ګټو ګروپ، او د پلور وروسته غوره شرکتونه؛ موږ یو متحد لوی کورنۍ هم یو، هرڅوک د چینایي عمده پلور لوړ فعالیت Ac فلټر کولو کیپسیټرونو لپاره د "یووالي، هوډ، زغم" ارزښت لرونکي سازمان سره دوام لري - محوري GTO سنوبر کیپسیټرونه - CRE، محصول به په ټوله نړۍ کې عرضه کړي، لکه: استونیا، آسټرالیا، مولډووا، زموږ ټول محصولات د نړیوال کیفیت معیارونو سره مطابقت لري او د نړۍ په مختلفو بازارونو کې خورا ستاینه کیږي. که تاسو زموږ د کوم محصول سره علاقه لرئ یا غواړئ د دودیز امر په اړه بحث وکړئ، مهرباني وکړئ له موږ سره اړیکه ونیسئ. موږ په نږدې راتلونکي کې د نوي پیرودونکو سره د بریالي سوداګریزو اړیکو جوړولو ته سترګې په لار یو.
  • موږ یو کوچنی شرکت یو چې تازه یې پیل کړی، خو موږ د شرکت مشر پام ځانته راواړوه او ډیره مرسته مو وکړه. هیله ده چې یوځای پرمختګ وکړو! ۵ ستوري د ایمی لخوا د سډني څخه - 2017.09.28 18:29
    د فابریکې تخنیکي کارکوونکي نه یوازې د ټیکنالوژۍ لوړه کچه لري، بلکې د دوی د انګلیسي کچه هم ډیره ښه ده، دا د ټیکنالوژۍ اړیکو لپاره یوه لویه مرسته ده. ۵ ستوري د ناروې څخه جین اسچر لخوا - ۲۰۱۸.۰۹.۲۱ ۱۱:۴۴

    خپل پیغام موږ ته واستوئ:

    خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ

    خپل پیغام موږ ته واستوئ: