ارزانه بیه د ټیټ بریښنا د ضایع کیدو انډکشن تودوخې کیپیسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE

ارزانه بیه د ټیټ بریښنا د ضایع کیدو انډکشن حرارتی کیپسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE ځانګړی عکس

لنډ معلومات:

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

اړونده ویډیو

نظر (2)

موږ په پرمختګ ټینګار کوو او هر کال بازار ته نوي محصولات او حلونه معرفي کوود ګمرک جوړ شوي ریزونانس کپیسیټر , تخصیص شوی Capacitor بانک , د بریښنا بریښنایی اک کپاسیټر، موږ په بشپړ ډول د نړۍ له ګوټ ګوټ څخه پیرودونکو ته ښه راغلاست وایو ترڅو باثباته او دوه اړخیز ګټور سوداګریزې اړیکې رامینځته کړي ، ترڅو په ګډه روښانه راتلونکي ولري.

ارزانه بیه د ټیټ بریښنا د ضایع کیدو انډکشن حرارتی کیپسیټر - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کاپسیټر ډیزاین - CRE توضیحات:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي حرارت درجه	اعظمي. د عملیاتي تودوخې.، پورته، اعظمي: +105 ℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85 ℃ د ټیټ درجه حرارت درجه: -40 ℃
د ظرفیت حد	0.1μF～5.6μF
درجه بندي ولتاژ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J)؛ ±10%(K)
د ولتاژ په وړاندې مقاومت	1.5Un DC/10S
د تخریب عامل	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
د موصلیت مقاومت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (په 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(په 20℃ 100V.DC 60S)
د اوسني اعتصاب سره مقاومت وکړئ	ډیټاشیټ وګورئ
د شعاع مخنیوی	UL94V-0
د ژوند تمه	100000h(Un؛ Θhotspot≤85°C)
د حوالې معیار	IEC61071;GB/T17702;

د مشخصاتو جدول

ولټيج	یون 700V.DC،Urms400Vac؛Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	۴۸۰	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	۴۳۰	۶۴۵	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	۸۴۰	15
2.5	42.5	33	45	6	23	۴۰۰	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	57.5	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
3.5	42.5	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
3.5	57.5	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
4.7	57.5	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶ ل	25
5.6	57.5	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	57.5	38	54	3.5	33	۲۳۰	۱۳۸۰ ل	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولټيج	یون 1000V.DC،Urms500Vac؛Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	۴۷۰	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	۸۰۰	۵۴۴	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	42.5	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
2.5	57.5	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	57.5	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	57.5	38	54	3.2	26	۵۰۰	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	۱۹۷۴	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولټيج	Un 1200V.DC،Urms550Vac؛Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	۱۱۰۰	۷۴۸	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
1.5	42.5	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	57.5	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
2.5	57.5	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	57.5	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
3.3	57.5	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵ ز	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	۱۹۷۴	32
ولټيج	یون 1700V.DC،Urms575Vac؛Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	42.5	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
1.5	42.5	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
1.5	57.5	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	57.5	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
2.5	57.5	35	50	4	28	۱۱۰۰	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولټيج	یون 2000V.DC،Urms700Vac؛Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
0.68	42.5	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶	18
0.68	57.5	30	45	7	30	۱۱۰۰	۷۴۸	20
0.82	42.5	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	57.5	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	۱۵۰۰	28
2	57.5	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولټيج	یون 3000V.DC،Urms750Vac؛Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ارمز
0.15	42.5	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
0.22	42.5	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	۳۳۰	20
0.33	57.5	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
0.47	57.5	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

د محصول تفصیل انځورونه:

اړونده محصول لارښود:

موږ زموږ د عالي سوداګریزو توکو لوړ کیفیت ، رقابتي نرخ او د ارزانه بیه ټیټ بریښنا ضایع کولو انډکشن حرارتی کیپاسیټر لپاره د غوره خدمت لپاره زموږ د امکاناتو په مینځ کې خورا ښه حالت څخه خوند اخلو - د IGBT بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو لپاره د لوړ لوړ اوسني سنبر فلم کپیسیټر ډیزاین - CRE ، محصول به. په ټوله نړۍ کې عرضه، لکه: متحده عربي امارات، برونډي، اکرا، زموږ شرکت تل د نړیوال بازار په پراختیا تمرکز کوي.موږ په روسیه، اروپايي هیوادونو، متحده ایالاتو، د منځني ختیځ هیوادونو او افریقایي هیوادونو کې ډیری پیرودونکي لرو.موږ تل تعقیب کوو چې کیفیت بنسټ دی پداسې حال کې چې خدمت د ټولو پیرودونکو پوره کولو تضمین دی.

تخصیص شوی Capacitor بانک