• بي بي بي

د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - CRE

لنډ معلومات:


د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

اړونده ویډیو

نظر (2)

"لومړی پیرودونکي، لومړی لوړ کیفیت" په ذهن کې وساتئ، موږ د خپلو پیرودونکو سره نږدې کار کوو او دوی ته د اغیزمنو او تجربه لرونکو خدماتو چمتو کوو.د فریکونسی کنورټرونو لپاره د Dc-Link Capacitor , د لوړ نبض جریان Igbt سنوبر , د اب انورټر لپاره د فلم کپاسیټر، ښه کیفیت او ارزانه نرخونه زموږ محصولات د کلمې په شاوخوا کې د یو مهم نوم څخه خوند اخلي.
د 8 کلن صادرونکی بریښنایی تودوخې کیپسیټر - د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - د CRE تفصیل:

تخنیکي معلومات

د عملیاتي تودوخې حد

اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: +105℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40℃

د ظرفیت حد

۳ ~ ۵۰μF

ټاکل شوی ولتاژ

۲۰۰ ولټه.AC~۴۵۰ ولټه.AC

کیپټول

±۵٪(J) ;±۱۰٪(K)

د ولتاژ سره مقاومت وکړئ

2Un DC/10S

د ضایع کیدو فکتور

د ټګ δ≤0.0015f=1KHz

د موصلیت مقاومت

RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC60S)

د اور لمبې کموالی

د UL94V-0 معرفي کول

د ژوند تمه

100000h(Un؛ Θhotspot≤70 °C)

د حوالې معیار

د ټاکنو خپلواک کمیسیون ۶۱۰۷۱؛

د عملیاتي تودوخې حد

اعظمي عملیاتي تودوخه، پورته، اعظمي: +105℃ د پورتنۍ کټګورۍ تودوخه: +85℃ د ټیټ کټګورۍ تودوخه: -40℃

د ظرفیت حد

۳ ~ ۵۰μF

ټاکل شوی ولتاژ

۲۰۰ ولټه.AC~۴۵۰ ولټه.AC

کیپټول

±۵٪(J) ;±۱۰٪(K)

د ولتاژ سره مقاومت وکړئ

2Un DC/10S

د ضایع کیدو فکتور

د ټګ δ≤0.0015f=1KHz

د موصلیت مقاومت

RS*C≥5000S (په 20℃ 100V.DC60S)

د اور لمبې کموالی

د UL94V-0 معرفي کول

د ژوند تمه

100000h(Un؛ Θhotspot≤70 °C)

ځانګړتیا

۱. د وچ فلم جوړول؛
۲. د مسو د تار سره لیډونه؛ کوچنۍ اندازه؛ اسانه نصب کول؛
۳. ټیټ ESL او ESR؛
۴. د نبض لوړ جریان.

غوښتنلیک

۱. په پراخه کچه د DC-Link سرکټ کې د انرژۍ ذخیره کولو فلټر کولو لپاره کارول کیږي؛
۲. کولی شي د الکترولیټیک کیپسیټرونو ځای ونیسي، غوره فعالیت او اوږد ژوند.
۳. د پی وی انورټر، د باد بریښنا کنورټر؛ د فریکونسۍ کنورټر او انورټر بریښنا رسولو ټول ډولونه؛
خالص برقي او هایبرډ موټرونه؛ د چارج کولو پایل، UPS، او نور.

د خاکې رسمول

اففف

(ملي متر)
Cn(μF) ل(±۱) ټي (±۱) د H(±1) د P1 P2 د ESR @10KHz (mΩ) ډي وي/ډي ټي (وي/μS) د IPK(A) د حرارت درجه: ۴۰ ℃ @ ۱۰ کلو هرټز (الف)
20 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۳ 30 ۶۰۰ 12
20 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۸ 30 ۶۰۰ 22
25 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۸ 17 ۴۲۵ 12
25 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۳.۲ 17 ۴۲۵ 22
30 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۵ 17 ۵۱۰ 12
30 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۹ 17 ۵۱۰ 22
30 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۸ 17 ۵۱۰ 25
33 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۳ 17 ۵۶۱ 12
33 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۷ 17 ۵۶۱ 22
33 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۶ 17 ۵۶۱ 28
35 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۲ 17 ۵۹۵ 12
35 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۶ 17 ۵۹۵ 22
35 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۵ 17 ۵۹۵ 30
40 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ 3 17 ۶۸۰ 12
40 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۴ 17 ۶۸۰ 22
40 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۳ 17 ۶۸۰ 30
45 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۰ ۵۲.۵ ۲.۸ 17 ۷۶۵ 12
45 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۰ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۳ 17 ۷۶۵ 22
45 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۰ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۲ 17 ۷۶۵ 32
50 ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲.۷ 17 ۸۵۰ 12
50 ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۲ 17 ۸۵۰ 22
50 ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۱ 17 ۸۵۰ 32

 

ولټيج یو ۴۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۲۵۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۸۰۰ وولټ
(ملي متر)
Cn(μF) ل(±۱) ټي (±۱) د H(±1) د P1 P2 د ESR(mΩ) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) د کارموندنې
10 ۴۲.۵ ۳۳.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۶ 40 ۴۰۰ 12
10 ۴۲.۵ ۳۳.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ 2 40 ۴۰۰ 23
15 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۳ 40 ۶۰۰ 28
15 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۸ 40 ۶۰۰ 28
15 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۷ 40 ۶۰۰ 28
18 ۴۲.۵ 33 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۲ 40 ۷۲۰ 15
18 ۴۲.۵ 33 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۷ 40 ۷۲۰ 15
18 ۴۲.۵ 33 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۶ 40 ۷۲۰ 15
20 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۵ 20 ۴۰۰ 25
20 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۹ 20 ۴۰۰ 25
20 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۸ 20 ۴۰۰ 25
25 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۴ 20 ۵۰۰ 28
25 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۸ 20 ۵۰۰ 28
25 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۷ 20 ۵۰۰ 28
30 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۲ 20 ۶۰۰ 25
30 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۷ 20 ۶۰۰ 25
30 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۶ 20 ۶۰۰ 25

 

ولټيج یو ۶۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۳۳۰ وولټ؛ یو آر ایم ایس ۱۲۰۰ وولټ
(ملي متر)
Cn(μF) ل(±۱) ټي (±۱) د H(±1) د P1 P2 د ESR(mΩ) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) د کارموندنې
5 ۴۲.۵ ۳۳.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۳۷.۵ ۳.۱ 55 ۲۷۵ 12
5 ۴۲.۵ ۳۳.۵ ۳۵.۵ ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۵ 55 ۲۷۵ 20
۶.۸ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۸ 55 ۳۷۴ 12
۶.۸ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۲ 55 ۳۷۴ 22
9 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۶ 55 ۴۹۵ 12
9 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۲ 55 ۴۹۵ 22
9 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۹ 55 ۴۹۵ 28
10 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۴.۲ 30 ۳۰۰ 22
10 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۳.۷ 30 ۳۰۰ 25
15 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۶ 30 ۴۵۰ 12
15 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۸ 30 ۴۵۰ 20
15 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۷ 30 ۴۵۰ 28

 

ولټيج یو ۷۰۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ۴۰۰ وولټ؛ یو آر ایم ۱۴۰۰ وولټ
(ملي متر)
Cn(μF) ل(±۱) ټي (±۱) د H(±1) د P1 P2 د ESR(mΩ) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) د کارموندنې
۴.۷ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ 3 70 ۳۲۹ 12
۴.۷ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۴ 70 ۳۲۹ 22
5 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۹ 70 ۳۵۰ 12
5 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۳ 70 ۳۵۰ 22
6 ۴۲.۵ 33 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۸ 70 ۴۲۰ 12
6 ۴۲.۵ 33 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۲.۲ 70 ۴۲۰ 22
8 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۴.۲ 40 ۳۲۰ 12
8 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۳.۶ 40 ۳۲۰ 22
8 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۳.۵ 40 ۳۲۰ 28
10 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۹ 40 ۴۰۰ 12
10 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۳.۳ 40 ۴۰۰ 22
10 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۳.۲ 40 ۴۰۰ 30
15 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۶ 40 ۶۰۰ 12
15 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۳.۱ 40 ۶۰۰ 22
15 ۵۷.۵ 38 54 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ 3 40 ۶۰۰ 30

 

ولټيج یو ۸۵۰ وولټ. ډي سي، یو آر ایم ایس ۴۵۰ ویک؛ یو آر ایم ایس ۱۷۰۰ وولټ
(ملي متر)
Cn(μF) ل(±۱) ټي (±۱) د H(±1) د P1 P2 د ESR(mΩ) د dv/dt(V/μS) د IPK(A) د کارموندنې
3 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۴ ۱۱۰ ۳۳۰ 12
3 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۸ ۱۱۰ ۳۳۰ 22
3 ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۷ ۱۱۰ ۳۳۰ 25
۳.۳ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۳ ۱۱۰ ۳۶۳ 12
۳.۳ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۷ ۱۱۰ ۳۶۳ 22
۳.۳ ۴۲.۵ 30 45 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۶ ۱۱۰ ۳۶۳ 28
4 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۳.۱ 55 ۲۲۰ 12
4 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۵ 55 ۲۲۰ 22
4 ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۴ 55 ۲۲۰ 28
۴.۷ ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ 3 55 ۲۵۸.۵ 12
۴.۷ ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۴ 55 ۲۵۸.۵ 22
۴.۷ ۵۷.۵ 30 45 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۳ 55 ۲۵۸.۵ 30
۵.۶ ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲.۹ 55 ۳۰۸ 12
۵.۶ ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۲۰.۳ ۲.۲ 55 ۳۰۸ 22
۵.۶ ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۵۲.۵ ۱۰.۲ ۲.۲ 55 ۳۰۸ 31
6 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۸ 55 ۳۳۰ 12
6 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۵ ۲.۱ 55 ۳۳۰ 22
6 ۵۷.۵ 35 50 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ 2 55 ۳۳۰ 32
۶.۸ ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲.۵ 55 ۳۷۴ 12
۶.۸ ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۳۷.۵ ۲۰.۳ ۱.۹ 55 ۳۷۴ 22
۶.۸ ۵۷.۵ ۴۲.۵ 56 ۱.۲ ۳۷.۵ ۱۰.۲ ۱.۸ 55 ۳۷۴ 32

د محصول تفصیل انځورونه:

د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - د CRE تفصیل انځورونه

د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - د CRE تفصیل انځورونه

د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - د CRE تفصیل انځورونه


د اړوندو محصولاتو لارښود:

موږ په پرمختګ ټینګار کوو او هر کال د 8 کلن صادرونکي بریښنایی تودوخې کیپسیټر لپاره نوي توکي بازار ته معرفي کوو - د لوړ بریښنا سیسټم لپاره ډیزاین شوی پرمختللی ایمبیډ شوی PCB کیپسیټر - CRE، محصول به ټولې نړۍ ته عرضه کړي، لکه: ترکیه، استونیا، روم، د 9 کلونو څخه ډیر تجربې او مسلکي ټیم سره، موږ خپل محصولات په ټوله نړۍ کې ډیری هیوادونو او سیمو ته صادر کړي دي. موږ د نړۍ له ټولو برخو څخه پیرودونکو، سوداګریزو اتحادیو او ملګرو ته ښه راغلاست وایو چې موږ سره اړیکه ونیسي او د متقابلو ګټو لپاره همکاري وغواړي.
  • دا فابریکه کولی شي په دوامداره توګه مخ پر ودې اقتصادي او بازار اړتیاوې پوره کړي، ترڅو د دوی محصولات په پراخه کچه پیژندل شوي او باوري شي، او له همدې امله موږ دا شرکت غوره کړ. ۵ ستوري د ویکتور لخوا د ساوت امپټون څخه - 2017.11.20 15:58
    په دې صنعت کې یو ښه عرضه کوونکی، د تفصیل او محتاط بحث وروسته، موږ یوې موافقې ته ورسیدو. هیله ده چې موږ په اسانۍ سره همکاري وکړو. ۵ ستوري د فرانک لخوا له مالټا څخه - ۲۰۱۸.۰۶.۰۵ ۱۳:۱۰

    خپل پیغام موږ ته واستوئ:

    خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ

    خپل پیغام موږ ته واستوئ: